深圳新聞網(wǎng)2025年10月18日訊（記者 李豫軍）10月15日，2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)（灣芯展）在深圳會(huì)展中心（福田）盛大啟幕。在這場(chǎng)匯聚600余家全球半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)的行業(yè)盛會(huì)上，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)（簡稱“深圳綜合平臺(tái)”）攜多項(xiàng)核心技術(shù)成果驚艷亮相，以“開放共享”之姿，為破解產(chǎn)業(yè)“卡脖子”難題注入強(qiáng)勁動(dòng)能。

技術(shù)成果發(fā)布：不只是領(lǐng)先，更是“破局”

功率半導(dǎo)體是現(xiàn)代電力電子器件、射頻器件的“核心潛力股”，尤其在高壓、高頻、大功率場(chǎng)景中不可或缺。從碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）到氧化鎵、金剛石等超寬禁帶材料，半導(dǎo)體技術(shù)正不斷突破天花板。

深圳綜合平臺(tái)作為全球首個(gè)集科研與中試于一體的8吋先進(jìn)功率半導(dǎo)體開放共享平臺(tái)，已構(gòu)建從研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化的全鏈條能力，設(shè)立四大中心，服務(wù)超30家合作伙伴、10家中試客戶、45家檢測(cè)客戶，并與8所高校開展科研合作或共建聯(lián)合實(shí)習(xí)基地。

2025年，平臺(tái)完成技術(shù)平臺(tái)1.0，實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)突破：

襯底加工：率先實(shí)現(xiàn)碳化硅激光剝離技術(shù)，8吋單片總損耗＜75μm，切割時(shí)間≤20分鐘，成本降低26%，整體性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

碳化硅外延：突破200μm超厚膜缺陷控制技術(shù)，并在商用4°偏角襯底上首次實(shí)現(xiàn)3C-SiC高質(zhì)量外延生長，為解決柵氧遷移率難題開辟新路徑。

1200V SiC平面柵與溝槽柵：突破超窄元胞結(jié)構(gòu)、超高深寬比工藝等關(guān)鍵技術(shù)，器件性能達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平，并構(gòu)建全流程自主可控8英寸溝槽柵工藝平臺(tái)。

GaN外延與器件：高壓1200V外延達(dá)到國際先進(jìn)水平，面向車規(guī)應(yīng)用；低壓15-40V外延突破選區(qū)二次外延技術(shù)，為AI供電芯片掃清障礙。

全系GaN器件平臺(tái)：在25V至650V電壓范圍實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先，關(guān)鍵技術(shù)全面突破。

平臺(tái)還自研業(yè)界首臺(tái)多功能超寬禁帶材料表征系統(tǒng)，并基于國產(chǎn)材料制備出國內(nèi)首個(gè)氮化鋁/富鋁鎵氮HMET器件。同時(shí)，自主仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)與PDK 0.5版本也已上線，為芯片設(shè)計(jì)企業(yè)提供堅(jiān)實(shí)支撐。

未來，平臺(tái)進(jìn)一步提升功率密度和器件可靠性，同時(shí)在第四代器件方面取得突破，如推出GaN/SiC混合場(chǎng)效應(yīng)晶體管、SiC 20kV IGBT等。

生態(tài)共建：14家伙伴簽約，EDA平臺(tái)正式啟用

獨(dú)行快，眾行遠(yuǎn)。展會(huì)期間，深圳綜合平臺(tái)與14家產(chǎn)業(yè)鏈伙伴完成合作簽約，覆蓋材料、器件、工藝與應(yīng)用全環(huán)節(jié)，推動(dòng)技術(shù)成果加速落地。

同時(shí)，在國創(chuàng)中心總部指導(dǎo)下，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心EDA設(shè)計(jì)公共平臺(tái)正式揭牌啟用。該平臺(tái)將直面設(shè)計(jì)與流片驗(yàn)證的“卡點(diǎn)”，助力客戶基于國產(chǎn)EDA工具與中試線完成芯片驗(yàn)證，打造自主可控的設(shè)計(jì)仿真支撐體系。

國產(chǎn)裝備集體亮相：123臺(tái)設(shè)備完成驗(yàn)證，16臺(tái)為首臺(tái)套

在國產(chǎn)化進(jìn)程中，深圳綜合平臺(tái)攜手北京北方華創(chuàng)、大族半導(dǎo)體、上海精測(cè)等13家國產(chǎn)設(shè)備商，共同點(diǎn)亮16臺(tái)國產(chǎn)首臺(tái)（套）設(shè)備標(biāo)識(shí)，標(biāo)志著8吋寬禁帶半導(dǎo)體國產(chǎn)工藝設(shè)備驗(yàn)證成果正式發(fā)布。

截至目前，平臺(tái)已完成123臺(tái)套國產(chǎn)設(shè)備的驗(yàn)證與熟化，其中16臺(tái)為細(xì)分領(lǐng)域首臺(tái)套，關(guān)鍵材料國產(chǎn)化驗(yàn)證率高達(dá)96%，有力推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控。

開放共享，共創(chuàng)“芯”未來

此次灣芯展之行，深圳綜合平臺(tái)不僅展示了技術(shù)平臺(tái)1.0的硬核實(shí)力，更通過EDA平臺(tái)啟用、國產(chǎn)設(shè)備驗(yàn)證、PDK/MPW發(fā)布等舉措，彰顯其推動(dòng)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控與高質(zhì)量發(fā)展的決心。未來，平臺(tái)將繼續(xù)秉持開放理念，與全球伙伴攜手，共創(chuàng)半導(dǎo)體新未來。